MONOGRAFÍAS DEL SOPT Nº8. TECNOLOGÍA DE SEMICONDUCTORES GAN Y SIC. EDICIÓN ACTUALIZADA 2010

La presente Monografía ha sido realizada por el Sistema de Observación y Prospectiva Tecnológica (SOPT) de la Subdirección de Tecnología e Innovación (SDG TECIN) de la Dirección General de Armamento y Material (DGAM). Obra de carácter técnico-científica, aborda las cuestiones más relevantes sobre las nuevas tecnologías de semiconductores. Se tratan en profundidad los materiales semiconductores con mayor potencial futuro entre los que destacan los de banda ancha, particularmente el nitruro de galio(GaN) y el carburo de silicio (SiC). Las excepcionales propiedades físicasde estos materiales hacen que sean especialmente adecuados para aplicaciones electrónicas de alta frecuencia y alta potencia, confiriéndoles además una elevada resistencia frente a las altas temperaturas, la radiación y los ambientes químicos extremos.

La presente Monografía ha sido realizada por el Sistema de Observación y Prospectiva Tecnológica (SOPT) de la Subdirección de Tecnología e Innovación (SDG TECIN) de la Dirección General de Armamento y Material (DGAM). Obra de carácter técnico-científica, aborda las cuestiones más relevantes sobre las nuevas tecnologías de semiconductores. Se tratan en profundidad los materiales semiconductores con mayor potencial futuro entre los que destacan los de banda ancha, particularmente el nitruro de galio(GaN) y el carburo de silicio (SiC). Las excepcionales propiedades físicasde estos materiales hacen que sean especialmente adecuados para aplicaciones electrónicas de alta frecuencia y alta potencia, confiriéndoles además una elevada resistencia frente a las altas temperaturas, la radiación y los ambientes químicos extremos.

  • NIPO: 075-11-017-8
  • Fecha de publicación: 25/3/2011
  • Año Edición: 2011
  • Autor: Dirección General de Armamento y Material. Subdirección General de Tecnología y Centros
  • Editor: Dirección General de Relaciones Institucionales de la Defensa

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La presente Monografía ha sido realizada por el Sistema de Observación y Prospectiva Tecnológica (SOPT) de la Subdirección de Tecnología e Innovación (SDG TECIN) de la Dirección General de Armamento y Material (DGAM). Obra de carácter técnico-científica, aborda las cuestiones más relevantes sobre las nuevas tecnologías de semiconductores. Se tratan en profundidad los materiales semiconductores con mayor potencial futuro entre los que destacan los de banda ancha, particularmente el nitruro de galio(GaN) y el carburo de silicio (SiC). Las excepcionales propiedades físicasde estos materiales hacen que sean especialmente adecuados para aplicaciones electrónicas de alta frecuencia y alta potencia, confiriéndoles además una elevada resistencia frente a las altas temperaturas, la radiación y los ambientes químicos extremos.

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La presente Monografía ha sido realizada por el Sistema de Observación y Prospectiva Tecnológica (SOPT) de la Subdirección de Tecnología e Innovación (SDG TECIN) de la Dirección General de Armamento y Material (DGAM). Obra de carácter técnico-científica, aborda las cuestiones más relevantes sobre las nuevas tecnologías de semiconductores. Se tratan en profundidad los materiales semiconductores con mayor potencial futuro entre los que destacan los de banda ancha, particularmente el nitruro de galio(GaN) y el carburo de silicio (SiC). Las excepcionales propiedades físicasde estos materiales hacen que sean especialmente adecuados para aplicaciones electrónicas de alta frecuencia y alta potencia, confiriéndoles además una elevada resistencia frente a las altas temperaturas, la radiación y los ambientes químicos extremos.

ISBN No
NIPO 075-11-017-8
Fecha de publicación 25/3/2011
Año Edición 2011
Autor Dirección General de Armamento y Material. Subdirección General de Tecnología y Centros
Editor Dirección General de Relaciones Institucionales de la Defensa
Número de Páginas No