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Tecnología de Semiconductores GaN y SiC. Edición actualizada 2010

Autor: Dirección General de Armamento y Material. Subdirección General de Tecnología e Innovación.


Colección: monografías del SOPT


La presente Monografía ha sido realizada por el Sistema de Observación y Prospectiva Tecnológica (SOPT) de la Subdirección de Tecnología e Innovación (SDG TECIN) de la Dirección General de Armamento y Material (DGAM). Obra de carácter técnico-científica, aborda las cuestiones más relevantes sobre las nuevas tecnologías de semiconductores. Se tratan en profundidad los materiales semiconductores con mayor potencial futuro entre los que destacan los de banda ancha, particularmente el nitruro de galio(GaN) y el carburo de silicio (SiC). Las excepcionales propiedades físicasde estos materiales hacen que sean especialmente adecuados para aplicaciones electrónicas de alta frecuencia y alta potencia, confiriéndoles además una elevada resistencia frente a las altas temperaturas, la radiación y los ambientes químicos extremos.

  • NIPO: 075-11-017-8
  • Fecha de publicación: Mar 22, 2011
  • Año de edición: 2011
  • Autor: Dirección General de Armamento y Material. Subdirección General de Tecnología y Centros
  • Editor: Dirección General de Relaciones Institucionales de la Defensa
  • Número de páginas: 200
  • Idioma: Spanish
  • Colección: Monografías del SOPT
  • Número de Colección: 8

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La presente Monografía ha sido realizada por el Sistema de Observación y Prospectiva Tecnológica (SOPT) de la Subdirección de Tecnología e Innovación (SDG TECIN) de la Dirección General de Armamento y Material (DGAM). Obra de carácter técnico-científica, aborda las cuestiones más relevantes sobre las nuevas tecnologías de semiconductores. Se tratan en profundidad los materiales semiconductores con mayor potencial futuro entre los que destacan los de banda ancha, particularmente el nitruro de galio(GaN) y el carburo de silicio (SiC). Las excepcionales propiedades físicasde estos materiales hacen que sean especialmente adecuados para aplicaciones electrónicas de alta frecuencia y alta potencia, confiriéndoles además una elevada resistencia frente a las altas temperaturas, la radiación y los ambientes químicos extremos.

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La presente Monografía ha sido realizada por el Sistema de Observación y Prospectiva Tecnológica (SOPT) de la Subdirección de Tecnología e Innovación (SDG TECIN) de la Dirección General de Armamento y Material (DGAM). Obra de carácter técnico-científica, aborda las cuestiones más relevantes sobre las nuevas tecnologías de semiconductores. Se tratan en profundidad los materiales semiconductores con mayor potencial futuro entre los que destacan los de banda ancha, particularmente el nitruro de galio(GaN) y el carburo de silicio (SiC). Las excepcionales propiedades físicasde estos materiales hacen que sean especialmente adecuados para aplicaciones electrónicas de alta frecuencia y alta potencia, confiriéndoles además una elevada resistencia frente a las altas temperaturas, la radiación y los ambientes químicos extremos.

ISSN No
ISBN No
EAN No
NIPO 075-11-017-8
Fecha de publicación Mar 22, 2011
Año de edición 2011
Autor Dirección General de Armamento y Material. Subdirección General de Tecnología y Centros
Editor Dirección General de Relaciones Institucionales de la Defensa
Número de páginas 200
Idioma Spanish
Colección Monografías del SOPT
Número de Colección 8